| 技術名稱 |
利用電子散射判斷材料能量反應的方法 |
| 研究專長 |
- 奈米積體電路光學及電子束微影技術與製程
- VLSI電子設計自動化
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| 技術摘要 |
本技術是以電子束微影角度分析電子散射之方法，取得平均原子間距（d）再加入散射截面積（σ）計算，得出該材料內平均原子空間結構可產生之前向或背向散射比例（ω），並避開中子之計算，得以精準分析該材料內電子散射情形。其中，d值正比於電子相互作用體積，而材料的ω也直接影響電子相互作用體積大小 由數值模擬結果顯示ω與電子相互作用體積成反比，因此同時檢視d與ω得以直接正確地判斷吸收層內電子相互作用體積大小。
運用於半導體晶片製造產業，於台灣如台積電、聯電、世界先進、力積電等積體電路製造廠商。 |
| 運作技術成熟度 |
TRL1：基礎原理發現 |
| 專利名稱 |
利用電子散射判斷材料能量反應的方法 |
| 申請國家 |
中華民國 |
| 專利類型 |
發明 |
| 專利證書號 |
I812427 |
| 專利期間 |
自2022/8/24起至2026/08/10止 |
| 專利說明 |
一種利用電子散射判斷材料能量反應的方法，包括算出該材料之平均原子間距( d)，其計算公式為： ( n)為該材料之組成原子數，( ρ)為該材料的密度，( N0)為亞佛加厥常數，( i)為該材料的原子排序，( F i)為原子( i)的原子分數，( A i)為原子( i)的原子量，該材料之平均原子間距( d)與電子相互作用體積成反比關係，藉此可以分析該材料的能量反應。 |
